Kāpēc skaidas zem 7 nm ir atkarīgas no augstas{1}}tīrības tantala mērķiem

Pusvadītāju ražošanai kļūstot zem 7 nm, materiāli kļūst tikpat svarīgi kā pats tranzistoru dizains. Viens no lielākajiem izaicinājumiem progresīvā mikroshēmu ražošanā ir vara difūzijas kontrole ārkārtīgi mazās starpsavienojumu konstrukcijās. Varš nodrošina izcilu elektrovadītspēju, tāpēc mūsdienu mikroshēmas lielā mērā balstās uz vara starpsavienojumu tehnoloģiju, taču vara atomi ir arī ļoti mobili. Termiskā stresa un ilgstošas ​​darbības laikā tie var pakāpeniski izkliedēties apkārtējos dielektriskos un silīcija slāņos, izraisot noplūdes strāvu, nestabilitāti un samazinātu mikroshēmas uzticamību. Vecākos procesa mezglos šo problēmu bija vieglāk kontrolēt, taču zem 7 nm, kur struktūras mēra tikai dažos nanometros, pat neliela atomu migrācija var tieši ietekmēt ražu un ierīces veiktspēju.

Tāpēc augstas{0}}tīrības tantala barjeras slāņi joprojām ir ļoti svarīgi uzlabotajā pusvadītāju ražošanā. Plānas tantala{2}}plēves tiek nogulsnētas starp varu un apkārtējām konstrukcijām, lai bloķētu difūziju, vienlaikus saglabājot elektrisko stabilitāti. Šie slāņi ir ārkārtīgi plāni, tomēr to veiktspēja tieši ietekmē starpsavienojumu uzticamību uzlabotajās mikroshēmās. Tā kā pats barjeras slānis kļūst plānāks, tantala mērķu tīrības prasības kļūst daudz stingrākas. Piesārņojums, nestabila graudu struktūra vai nekonsekventa izsmidzināšana var ietekmēt plēves viendabīgumu PVD nogulsnēšanas laikā. Uzlabotā pusvadītāju ražošanā pat nelielas svārstības, kas iepriekš bija pieņemamas, tagad var radīt plāksnīšu defektus vai samazināt ražošanas ražu. Šī iemesla dēļ pusvadītāju -klases tantala mērķiem ir nepieciešama ne tikai augsta tīrība, bet arī stingri kontrolēts blīvums, graudu izmērs un iekšējā konsistence visā ražošanas procesā.

Tantala materiālu piegādātājiem īstās grūtības vairs nav tikai tantala metāla ražošana. Izaicinājums ir saglabāt stabilu apstrādes kvalitāti no rafinēšanas un elektronu staru kausēšanas līdz kalšanai, apstrādei un gala mērķa izgatavošanai. Tā kā mākslīgā intelekta mikroshēmas, augstas veiktspējas skaitļošanas{2}}un progresīvās iepakošanas tehnoloģijas turpina palielināt pusvadītāju sarežģītību, sagaidāms, ka pieprasījums pēc stabiliem augstas-tīrības tantala materiāliem saglabāsies liels. Daudzos veidos tantala pieaugošā nozīme mikroshēmās, kas mazākas par 7 nm, atspoguļo plašākas pārmaiņas pusvadītāju nozarē: progresīvu ražošanu arvien vairāk ierobežo ne tikai dizaina iespējas, bet arī pati materiālu inženierija.

Uzņēmums Shaanxi Zhongheng Weichuang Metal koncentrējas uz ugunsizturīgiem un augstas veiktspējas{0}}metāla materiāliem, tostarp tantalu, niobiju, hafniju, volframu, titānu un saistītiem sakausējumiem, kas paredzēti pusvadītāju, vakuuma, kosmosa un augstas{1}}temperatūras vajadzībām. Ja novērtējat tantala materiālus izsmidzināšanas mērķiem vai progresīvām rūpnieciskām lietojumprogrammām, mūsu komanda var atbalstīt gan standarta, gan pielāgotas apstrādes prasības, pamatojoties uz jūsu tehniskajām specifikācijām. E-pasts:zhwctanbc103@163.com